抢占化合物半导体发展高地
武进国家高新区与西安电子科技大学共建长三角化合物半导体创新基地
常报全媒体讯 我市集成电路产业迎来发展新机遇。昨天,武进国家高新区与西安电子科技大学举行签约仪式,共建长三角化合物半导体创新基地。市委书记齐家滨和中国科学院院士郝跃出席签约仪式。
西安电子科技大学是首批9所获批设立集成电路人才培养基地高校之一。其中,宽禁带半导体国家工程中心是西电科微电子学国家重点学科重要支撑。
齐家滨表示,当前常州正在谋划“十四五”规划纲要,将以抓创新为核心发展目标,推动城市发展模式向内涵提升型转变,不断提升城市能级。集成电路是新一代信息技术产业的核心,常州有很好的基础,目前正以战略性眼光谋划布局集成电路、第三代半导体产业,打造工业智造的强劲“心脏”。常州籍“开国中将”王诤是西安电子科技大学创始人兼首任校长,希望西安电子科技大学发挥科研和人才优势,更多支持常州集成电路产业发展。常州各级党委政府将营造更优环境,集全市之力创新基地建设。
郝跃表示,化合物半导体已成为集成电路产业新的驱动与方向,常州推进化合物半导体产业的发展思路,非常符合长三角区域集成电路产业布局。西安电子科技大学有信心与常州深化合作,争取让更多的科技成果在常州转化,做强做大集成电路产业。
根据协议,双方将共建宽禁带半导体国家工程中心常州分中心,西安电子科技大学将为常州分中心提供技术支持,并协助本地高校一起,联合培养微电子技术专业人才,为常州分中心建设发展提供人才支持。签约仪式上,西安电子科技大学团队、武岳峰资本、武南汇智、常州承芯等产业链合作方同时签订合作意向书,将整合各参与方资源优势,促进化合物半导体产业发展,实现合作共赢。
市领导方国强、梁一波、李林参加签约活动。(舒泉清)
来源:常州日报
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